获取优惠价格

Tel:19337881562

产品列表

新闻中心

碳化硅冶炉新工艺

艾奇逊法碳化硅冶炼炉的生产工艺_反应

2019年2月26日在冶炼碳化硅的产物中，一级碳化硅结晶块是电阻炉的主要产品，其结晶为粗大的α-SIC，SIC碳化硅含量在96%以上。一级碳化硅层的厚度视炉子的功率以及部位不同为50—450mm不等，生成温度 2020年12月24日我国学者指出，在工业硅冶炼过程中，应严格保持炉料中碳与SiO2的分子比等于2。. 这样在冶炼过程中就不出现剩余SiC和SiO2，可保证冶炼过程有高的硅产出碳化硅冶炼工艺_反应

“碳中和”系列专题六：中国工业硅工艺碳排放现状及国内外碳 ...

2023年1月19日多晶硅生产工艺工业硅是通过以硅石、碳质还原剂以及疏松剂为原材料，在矿热炉中连续电热化反应得到的，冶炼生产时，首先将生产所需的炉料由原料处理系统 2024年4月18日碳化硅SiC的生产工艺涉及从原材料的选择和预处理、高温热处理，到晶体生长、切割、打磨、器件制造、检测与封装等一系列复杂步骤。每一步都需要精确控浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 - 百家号

【中国科学报】20余年坚守创新他为国产碳化硅“开路”----中国 ...

2024年2月5日碳化硅晶体的国产化，满足了国家重大需求，带动了20余家国内企业进入下游器件、封装和模块产业，促使国内形成了完整的碳化硅半导体产业链，带动了我国宽 2022年5月20日常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶– 凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技碳化硅的制备及应用最新研究进展 - ResearchGate

钢铁工业用耐火材料新技术进展

2023年7月24日摘要：介绍了近期钢铁工业用耐火材料的新技术和新进展,包括干熄焦炉用复相结合碳化硅材料、氢基竖炉用关键耐火材料、欧冶炉 (改进型COREX-C3000)用关键碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料在电阻炉内经高温冶炼而成。目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为碳化硅冶炼工艺_百度文库

碳化硅的两种冶炼工艺是什么_区进行_反应_产品

2023年9月9日碳化硅两种冶炼工艺什么：一是新料法：新料法把新料（硅砂、石油焦碳）直接装于炉内反映区进行冶炼，新料法颜料质量波动小，炉料的配方比较稳定，因此 2024年4月18日三、Acheson工艺 Acheson工艺是一种传统的SiC生产方法。在此过程中，将混合好的硅砂和碳素材料填充在特制的石墨坩埚中，利用电弧炉产生的高温进行反应。炉温在反应区可达2400°C，这时硅砂和碳在石墨电极的电场作用下发生反应，生成碳化硅。浮思特｜碳化硅SiC生产工艺的全景解析 - 百家号

碳化硅工艺过程简述 - 百度文库

碳化硅工艺过程简述-（2）氧碳化硅层该层物料实际上是半反应的料，主要是还未反应的碳和二氧化硅，也有一部分为已经反应成的碳化硅（约占20~50%）。未反应的二氧化硅和碳，其形态已经发生很大变化，因此不同于乏料。氮化镓(gan)和碳化硅(sic)芯片的生产工艺流程概述说明 1. 引言 1.1 概述本文将对氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）芯片的生产工艺流程进行概述说明。GaN和SiC是两种具有广泛应用前景的半导体材料，它们在高频功率电子器件以及光电子器件等领域有着重要的 ...氮化镓 (gan)和碳化硅 (sic)芯片的生产工艺流程_概述说明

碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_

2023年7月14日在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）外延片，可制成微波射频器件，应用于5G通信等领域；在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层（SiC-on-SiC）制得碳化硅外延片，可制成功率器件，应用于电动汽车、新 ...碳化硅真空烧结炉的工艺流程合- 在烧结过程中，碳化硅颗粒开始相互结合，形成更致密和更强的材料。烧结的温度和时间被精确控制，以达到所需的密度和力学性能。烧结完成后，炉子会缓慢冷却，以防止热冲击，并确保烧结的碳化硅的稳定性。烧结 ...碳化硅真空烧结炉的工艺流程合_百度文库

碳化硅烧结工艺

2018年4月5日碳化硅、白刚玉等磨料微粉是如何进行颗粒整形？大面积碳化硅陶瓷膜层化学气相沉积（CVD）技术碳化硅陶瓷反应连接技术高精度碳化硅陶瓷制品无模成型工艺碳化硅陶瓷凝胶注模成型工艺集成电路制造装备用精密陶瓷结构件的特点固相烧结碳化 2022年10月17日中冶赛迪自主研发的第3代废钢预热型电弧炉-绿色智能超级电弧炉（CISDI-SuperARC）是继第2代废钢预热型电弧炉-阶梯连续加料型电弧炉（CISDI-AutoARC）后，应用了新型IGBT柔性直流供电技术、电极无级双控智能调节技术、废钢连续预热技术、废钢阶梯连续科技新进展：中冶赛迪绿色智能超级电弧炉全套技术-江苏省 ...

碳化硅的合成、用途及制品制造工艺

2020年6月10日碳化硅(SiC)，又称金刚砂。1891年美国人艾契逊(Acheson) 发明了碳化硅的工业制造方法。碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的 ...5 天之前碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件碳化硅外延生长炉的不同技术路线 - 艾邦半导体网

高性能碳化硅的成型与烧结工艺分析-(7945) - 豆丁网

2019年4月9日相比而言，凝胶注模（Gelcasting）成型工艺是九十年代以来出现的一种新的胶态成型工艺，目前已能制备出多种复合陶瓷的部件（从氧化铝基耐火材料到高性能的氮化硅陶瓷）【5】，但很少有资料报道碳化硅部件的凝胶注模成型。为此本文在制备 ...混铁炉的综合砌筑新工艺-图1 混铁炉各部位的结构示意图通过对混铁炉的内衬结构进行优化设计, 炉顶采用砖砌, 炉墙和炉底采用整体浇注, 另外在内衬材料方面针对不同部位选用了不同的耐火材料进行砌筑, 这样砌筑工艺在实际使用中取得了很好的效果 ...混铁炉的综合砌筑新工艺_百度文库

碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...

2023年9月27日作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关...2024年5月6日外延工艺就是在单晶衬底上沉积一层薄的单晶层。这层新沉积的单晶层被称作外延层。碳化硅器件与传统硅功率器件制作工艺有非常明显的不同，SiC无法直接在碳化硅单晶材料上制备，需要在单晶衬底上额外生长出高质量的外延材料，并在外延层上制造各类新材料篇第三代半导体 - 碳化硅SiC深度行研（2） $天岳 ...

碳化硅部件-杭州大和热磁 - Ferrotec

在材料产品中，CVD-SiC是颇具成长性的产品，该产品可作为半导体生产设备的治具及部件。碳化硅是硅和碳1:1结合构成的一种化合物，其硬度仅次于钻石和碳化硼，居世界第三位。Ferrotec应用含有硅和碳的气体即CVD工艺法来进行制造。以硅片为例，采用CVD法 ...2021年5月24日碳化硅作为一种重要的结构陶瓷材料，凭借其优异的高温力学强度、高硬度、高弹性模量、高耐磨性、高导热性、耐腐蚀性等性能，不仅应用于高温窑具、燃烧喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承等传统工业领域，还可作为防弹装甲材料、空间反射镜、半导体晶圆制备中夹具材料及核燃料包壳材料。碳化硅陶瓷9大烧结技术大揭秘-技术邻

艾奇逊法碳化硅冶炼炉的生产工艺_反应

2019年2月26日碳化硅冶炼时，电阻炉供电，炉芯体温度上升，达到2600℃左右，通过炉芯体表面传热给周围的混合料，使之发生反应生成碳化硅，并溢出CO。 CO在炉表面燃烧成CO2，形成一个柔和、起伏的蓝色至黄色的火焰毡被；一小部分未燃烧的CO则弥散于大气 2022年8月24日 4）晶圆加工，通过光刻、沉积、离子注入和金属钝化等前段工艺加工形成的碳化硅晶圆，经后段工艺可制成碳化硅芯片； 5）器件制造与封装测试，所制造的电子电力器件及模组可通过验证进入应用环节。碳化硅产品从生产到应用的全流程历时较长。新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）_器件_工艺流程_外延

冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法-西安科技大学科技处

2017年5月12日冶炼碳化硅的多芯炉及其生产碳化硅的方法所属领域:材料科学与工程成果简介:1.成果的基本情况碳化硅的工业生产，国内外一直沿用100多年前Acheson发明的单炉芯技术，该法能耗高、产品品质差、环境污染大、生产不安全、单炉产量小，因而生产效率低，产品市场竞争力差。2024年4月17日 1、第三代半导体特性 (1)碳化硅根据《中国战略性新兴产业：新材料(第三代半导体材料)》，与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性: ①耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链 ...

【推荐】碳化硅晶圆清洗的新方法-电子工程专辑

2023年9月25日使用这种新的清洁方法，减少了清洗步骤数，并不再使用HF。图2. 模型晶圆SiC表面的AFM图像 (a)清洗前；(b)RCA清洗后；(c)新方法清洗后图3显示了3英寸SiC晶圆表面的Candela图像。经新方法清洗后，颗粒数明显减少。这一结果支持了AFM图 2 天之前碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社

顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术 ...

5 天之前在降本需求催动下，需要将一个大的碳化硅（SiC）晶锭切成尽可能多的薄碳化硅（SiC）晶圆衬底，同时随着晶圆尺寸不断增大(目前8英寸晶圆已有量产，下一步将拓展12英寸晶圆的生长），这些都对切割工艺的要求提出了更高的标准。2024年3月7日碳化硅（SiC）作为一种先进的半导体材料，在多个关键领域中具有重要应用。随着技术进步和市场的需求增长，碳化硅晶圆的制造工艺和精密加工技术变得至关重要。文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术，以及它们如何帮助实现产品的高性能和高可靠性。同时，文章也提到了中国在全球 ...「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现 ...

厚度达100 mm，碳化硅单晶生长取得新进展 - 艾邦半导体网

5 天之前 4月26日，据浙大杭州科创中心官微消息，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）宣布，经过近两年的努力，他们首次生长出厚度达100 mm的超厚碳化硅单晶。碳化硅单晶的厚度一般 ...2024年5月5日碳化硅舟的清洗方法,该清洗方法的步骤包括清洁表面,王水浸泡,氢氟酸浸泡,热处理,表面处理,火焰抛光处理等;本发明通过王水浸泡,可以清除碳化硅舟上残留的金属杂质,如铁,锰,铜,钠,钾等;通过将碳化硅舟放在退火炉中进行退火处理,可以促进碳化硅舟中杂质的析出炉管碳化硅舟可以干法清洗吗?_晶舟_工艺_金属

【钧瓷网】“钧瓷新工艺”的回顾与思考_生产

2018年8月28日今天，我们回过头来认真地思考钧瓷新工艺，它在钧瓷传统工艺上有三个方面的根本突破。一是烧成工艺上的新突破；二是窑炉工艺上的新突破；三是胎釉工艺上的新突破。这三个方面的改革基本上涉及了钧瓷传统工艺的整个过程，是钧窑历史性的发展。2022年5月11日标签长晶炉碳化硅晶片碳化硅微粉碳化硅晶片 [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉 ... 苏州孚纳特电子新材料有限公司出席IPIE2024 上海国际高端粉体装备与科学仪器展 IPIE上海国际高端粉体装备与科学仪器展览会，10月29-31日 ...一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉-一张图-资讯 ...

粉末挤出3D打印工艺为碳化硅热交换器件制造提供新途径

2024年4月12日 PEP为碳化硅热换器制造提供了新途径从碳化硅陶瓷的素坯成型工艺入手，并结合适宜的烧结工艺，使烧成的碳化硅陶瓷毛坯达到近净成型，以减少后续加工量，并保证产品性能满足使用要求，这将成为复杂结构碳化硅陶瓷制备工艺的主要研究方向。2022年7月11日半导体照明网获悉：2022年6月，恒普科技推出新一代2.0版SiC电阻晶体生长炉，本次量产推出的炉型是基于恒普上一代6、8英寸电阻炉的全新版本，积极对应市场对SiC电阻晶体生长炉的行业需求。面临的挑战国内 SiC 晶体生长炉几乎都是采用感应发热的方式，感应发热晶体生长炉设备投资低，结构简单 ...碳化硅8英寸时代，国产SiC电阻晶体生长炉量产！-电子工程专辑

在线留言

首页

Tel

联系我们

QQ