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碳化硅中化学成分和杂质含量的分析

JC/T 2149-2012《高纯碳化硅粉体成分分析方法》标准在线 ...

3 天之前本标准规定了高纯碳化硅粉体中二氧化硅、游离硅、游离碳、铝、砷、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、铅、钛、锌等的测定方法。本标准适用于碳化硅含量范围 2011年3月22日碳化硅含量是衡量产品质量的一项重要指标，现将各类碳化硅含量的测定方法综述如下：1国家标准1．1中华人民共和国进出口商品检验行业标碳化硅含量的测定综述 - 豆丁网

碳化硅化学分析方法_百度文库

碳化硅的化学分析方法主要包括元素分析、杂质分析和表面性质分析等。下面将针对这些内容进行详细介绍。首先是元素分析。由于碳化硅主要由碳和硅元素组成，因此通常使用下 2023年6月12日化硅材料的痕量杂质浓度的标准属于空白领域，本文件的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用。 T/CASAS 032—2023碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法

碳化硅同质外延质量影响因素的分析与综述

2024年7月30日摘要:碳化硅(SiC)外延质量会直接影响器件的性能和使用寿命,在SiC器件应用中起到关键作用。 SiC外延质量一方面受衬底质量的影响,例如衬底的堆垛层错(SF)会 2019年10月10日本标准界定了碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法相关的术语、定义和测试方法，适用于半导体碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及 T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓度及分布的二 ...

LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素 - 分析测试百科网

2018年11月18日 1引言. 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化本发明属于化学检测方法技术领域,具体涉及到采用等离子体质谱法对碳化硅中铝,镁等18种杂质元素含量进行测定的方法.包括以下步骤:(1)确定试样中杂质元素;(2)破碎筛选;(3)超声清一种碳化硅复合材料中杂质元素含量的测定方法 - 百度学术

碳化硅中杂质元素氮的测定 - 百度学术

摘要：. 碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准.碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用下,经氧化还原反应全部转化为 2021年11月17日实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V.此外，O杂质主要以非晶SiO 2 碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International ...

碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International ...

2021年11月17日杂质元素经常在碳化硅的熔炼和/ 或研磨或随后的储存过程中引入。 EN 注册登录 ... 实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V.此外，O杂质主要以非晶SiO 2 的形式覆盖 2019年10月10日出口碳化硅分析方法碳化硅含量的测定 2.3 术语及定义 GB/T 14264、GB/T 22461 界定的以及下列术语和定义适用本文件。 2.4 方法原理该部分内容对应《标准》的第 4 章内容，详细阐述了二次离子质谱仪检测半导体碳化硅材料中的痕量杂质铝、钒浓度 T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓度及分布的二 ...

一种碳化硅复合材料中铝、镁等杂质元素含量的测定方法与流程

2021年4月27日 1.本发明属于化学检测技术领域，具体涉及一种碳化硅复合材料中铝、镁等杂质元素含量的测定方法。背景技术： 2.碳化硅的硬度高、耐磨性和研磨性能好，并且铀抗热冲击、抗氧化、抗化学试剂作用、抗熔盐和抗熔融金属的高稳定性。近年来关于其化学元素检测的报道有很多，并发布了国家标准gb ...2021年10月8日试验经验，可以为《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法》标准的制定提供充分的验证报告。质检中心拥有一批高素质的专业人才，曾制（修）订二次离子质谱相关的标准10 余项，有丰富的制（修）订标准的经验。国家标准《硅单晶中氮含量的测定二次离子质谱法》编制说

GB/T 41153-2021 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 ...

2024年8月20日本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析,测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013cm-3、氮含量不小于5×1015cm-3,元素浓度(原子个数百分比)不 2019年5月24日本发明属于反应烧结碳化硅陶瓷领域，具体涉及反应烧结碳化硅陶瓷中碳化硅(SiC)或游离硅(Si)含量的测定方法。背景技术反应烧结法制备SiC的研究始于20世纪50年代，由美国Carborandum公司的P.Popper等研究成功。反应烧结SiC的基本过程如下：将SiC粉末和C按一定比率混合后制成坯体，在1450-1750℃温度下将Si ...一种反应烧结碳化硅陶瓷中碳化硅和游离硅含量的测定方法 ...

碳化硅检测机构：检测项目及仪器

2024年8月6日化学成分分析：检测碳化硅中的硅、碳、氧、氮等元素的含量，以确定其纯度和质量。2. 物理性能检测：检测碳化硅的硬度、密度、热导率、电导率等物理性能，以评估其性能和适用性。3. 微观结构分析：检测碳化硅的晶体结构、晶粒尺寸、缺陷 ...2020年9月23日 1国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法》编制说明（预审稿）一、工作简况1.立项目的和意义碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电场、高热导率、高饱和电子漂移速度等独特的物理与电学特性，特别适合制备高电压、高功率 ...国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子 ...

行业标准-《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电 ...

2022年4月24日行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法》（预审稿）编制说明一工作简况1.立项目的及意义碳化硅具有宽的禁带宽度、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力、高电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作，是第三代宽带隙半导体材料的重要组成 ...2011年3月22日从表1、表2可以看出,两种方法测定的碳化硅含量基本相近,都是可行的,但就常规分析而言,商检局方法中有些条件是很难达到的:1)用高温炉熔杂质时,要求在5min之内,从450℃升到850℃,其升温速率很难达到;2)商检局方法采用的焦硫酸钾对铂金坩锅有损坏,并且溶解碳化硅含量的测定方法 - 豆丁网

GB╱T 3045-2017 普通磨料碳化硅化学分析方法.pdf-全文可读

2021年6月3日 GB/T 3045-2017普通磨料碳化硅化学分析方法.pdf,GB╱T 3045-2017 普通磨料碳化硅化学分析方法ICS25.100.70 J43 中华人民共和国国家标准 / — GBT3045 2017 代替 / — GBT3045 2003 普通磨料碳化硅化学分析方法 — Conventionala工业碳化硅因所含杂质的种类和含量不。北京中科光析化工技术研究所例如涂料、胶水均以聚合物为主要成分。商用和工业用加热器具、陶瓷、分析化学、牙科、密封。(ICP-OES)直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质质量分数;。制品的化学分析.第3部分:氮、氧和金属碳化硅中化学成分和杂质含量的分析

LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素 - 分析测试百科网

2018年11月18日 1引言碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。2024年3月20日碳化硅的检测主要包括两方面：一是对碳化硅的化学成分进行分析，以确定其纯度和杂质含量；二是对碳化硅的物理性能进行测试，以确定其硬度、密度、热膨胀系数、导热系数、电阻率等参数。本文主要介绍碳化硅的化学分析方法，即根据GB/T ...碳化硅检测项目及相关标准和方法_杂质_表面_二氧化硅

YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光 ...

2023年5月22日 YS/T 1600-2023 在中国标准分类中归属于: H17 半金属及半导体材料分析方法，在国际标准分类中归属于: 77.040.30 金属材料化学分析。 YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法的最新版本是哪一版？最新版本是 YS/T 1600-20232019年3月13日碳化硅化学成分分析一、碳化硅含量测定的操作步骤：1、试样的制备：取有代表性的样品10g左右，置102的烘箱中，烘半小时，取出放入干燥器内冷却备用。2、清洗烘干铂皿。将铂皿浸入盛有蒸馏水的烧杯中，于低温炉中煮沸10-20，然后于烘箱中干燥，取出放入干燥器内冷却备用。碳化硅化学成分分析 - 豆丁网

等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量 - 道客巴巴

2014年6月10日化学分析计量CHEMICALANALYSISANDMETERAGE第卷，第6期013年11月Vol.，No.6Nov.0136doi：10.3969／j.issn.1008–6145.013.06.007等离子体发射光谱法测定碳化硅中的游离总硅含量*柳洪超，鲁毅，刘霞，郭国建，吴立军，李颖，黄辉，李本涛徐云霞（中国兵器工业集团第五三研究，济南 50031）（北方通用动力集团有限公司 ...2024年3月20日碳化硅的检测主要包括两方面：一是对碳化硅的化学成分进行分析，以确定其纯度和杂质含量；二是对碳化硅的物理性能进行测试，以确定其硬度、密度、热膨胀系数、导热系数、电阻率等参数。本文主要介绍碳化硅的化学分析方法，即根据GB/T ...碳化硅检测项目及相关标准和方法磨料金属氧化镁二氧化硅 ...

2020碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法 ...

2020年10月14日 2020碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法-编制说明.pdf,国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法》编制说明（征求意见稿）一、工作简况 1.立项目的和意义碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电场、高热导 ...本文根据一些与碳化硅相关的化学分析标准,结合其它方面的分析方法[9-13],通过方法比对试验证明,采用无水碳酸钠与硼酸混合熔剂熔解样品,电感耦合等离子体原子发射光谱法同时测定碳化硅中微量Fe、Al、Ti、Ca、Mg、P、Mn的含量,克服了采用酸溶解样品过程电感耦合等离子体原子发射光谱法测定碳化硅中杂质元素 ...

GBT 3045-2017 普通磨料碳化硅化学分析方法.pdf_文档分享网

2019年11月25日增加了碳化硅结晶块中其他化学成分的测定删除了国际标准的附录A,因为其仅指明了其他可使用的方法,本标准已有部分在条文中进行了规定; 删除了国际标准的附录B,其规定了碳化硅化学分析因测试技术变化的允许偏差,本标准在条文中进行了规定。碳化硅中游离碳含量-四、碳化硅中游离碳含量的影响因素碳化硅中游离碳含量受多种因素影响，主要包括：原料的含碳量、灼烧温度和时间、冷却速度等。此外，碳化硅的物理和化学性质也会影响游离碳含量。碳化硅中游离碳含量 - 百度文库

碳化硅纤维中碳与氧含量的分析 - 豆丁网

2015年3月9日然后将待测纤维样品研成粉末，测定样品的红外谱图，求出Si—C和Si—O键吸收峰的峰高比。重复进行数次，检验重现性，再利用标准曲线求出Si—C和Si—O键的摩尔比。分别用原子吸收光谱仪和元素分析仪测定样品中Si和游离碳的含量，并检验重现性。2020年9月24日国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法-编制说明.doc,PAGE 2 国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法》编制说明（预审稿）一、工作简况 1.立项目的和意义碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电场 ...国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子 ...

碳化硅微观结构分析，密度测试 - 百家号

2024年8月21日 4、化学成分分析：检测碳化硅中的硅、碳、氧、氮等元素的含量，以确定其纯度和质量。5、微观结构分析：检测碳化硅的晶体结构、晶粒尺寸、缺陷等微观结构。6、表面形貌分析：检测碳化硅的表面形貌，如粗糙度、平整度等 ...2024年8月6日碳化硅粉的检测通常涉及多个方面的内容，包括化学成分、颗粒大小、表面形貌等。其中，常用的方法之一是通过化学分析来确定碳化硅粉中各种元素的含量。常用的化学分析方法包括原子吸收光谱、电感耦合等离子体发射光谱和X射线荧光光谱等。碳化硅粉成分分析方法碳化硅检测标准-化工助剂-微谱第三方 ...

红外吸收法测定炼钢碳化硅类脱氧剂中的碳化硅 - 道客巴巴

2013年4月23日红外吸收法测定碳化硅中的全碳和SiC含量,红外吸收法测定碳化硅中的全碳和SiC 含量星级 ... 碳化硅类脱氧剂由于其熔点（2700 ℃）、含碳量和杂质都很高，所以其有效成份（S iC）的测定是分析中的一个难点。国家标准[1]采用 HNO3 ...一种碳化硅复合材料中杂质元素含量的测定方法 [发明专利]-专利内容由知识产权出版社提供来自百度文库专利名称：一种碳化硅复合材料中杂质元素含量的测定方法专利类型：发明专利发明人：张壮伟,陈艳宏,杨永明申请号：CN201611138864 .5 申请日 ...一种碳化硅复合材料中杂质元素含量的测定方法[发明专利]

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