获取优惠价格

Tel:19337881562

产品列表

新闻中心

加工碳化硅设备设备以其革新性的高效线速

碳化硅设备行业深度报告： S i C 东风已来，关注衬底与外延 ...

2023年9月14日激光切片损耗少、效率高，有望替代金刚线成为新一代主流切割技术，我们预计到2025年全球/国内6寸碳化硅切片设备新增市场空间约30/13亿元，金刚线切割方 2014年9月25日相比国内外同类设备而言，ISC 3010 线速提升1.7倍，更容易成为大批量晶体加工实际操作的好帮手。设备以其革新性炭化硅 xi加工碳化硅设备,设备以其革新性的高效线速

顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术 ...

6 天之前在碳化硅器件成本中，衬底占比47%左右，是价值量最高的原材料。. 在衬底加工环节，由于碳化硅自身硬度大且脆性高，莫氏硬度达9.5级，仅次于钻石，在现有技术背 2023年4月26日优势：1）高性能：碳化硅相比硅有四大优势：大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场，做成的器件对应有四高性能：高功率、高频率、高温和高电碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，碳化硅衬底切片设备 ...

机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速 ...

2023年2月27日与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势，适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器 2022年12月15日产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”. 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_

行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023 ...

2023年2月26日设备是决定各厂商产能上限的决定性因素。碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基 2023年7月14日 1）外延设备：应用于半导体与碳化硅领域的外延生长薄膜，在硅片衬底上生长出外延单晶薄膜，广泛应用于半导体Si与碳化硅SiC领域。 2）市场空间：预迈向半导体碳化硅设备龙头，设备零部件协同布局铸造高壁垒

行业知识小课堂！半导体｜线锯在碳化硅晶圆加工中的应用

2023年9月3日表1比较了目前单晶SiC不同切片工艺的主流加工质量。目前SiC晶锭的切片技术主要有砂浆线切割、金刚线切割以及超声辅助的金刚线切割。砂浆线切割的工艺最成熟，是常见的切割方式之一，其切片最小厚度为0.2mm，但材料去除效率低且污染环境，切割损耗较 4 天之前在碳化硅半导体晶圆的后道制程中，需要进行单个晶圆的标记、切割、分片、封装等步骤，最终成为完整的商用芯片，其中晶圆的标记、切割制程目前已逐渐开始使用激光加工设备来取代传统机械加工设备进行处理，具有效率高、效果好、材料损失小等优点。技术干货激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用

碳化硅飞秒激光加工：高效精密工艺的技术探索

2024年3月25日同时，飞秒激光加工的高精度和高灵活性也使得它成为对碳化硅进行微细加工的理想选择。飞秒激光加工碳化硅的关键是选择合适的激光参数（例如激光功率、脉冲频率、聚焦方式等），以及适当的工艺控制（例如气体保护、加工速度等），以确保实现所需的加工质量和精度。摘要：近年来,随着先进光学透镜,电子部件,精密仪器和医疗器械对复杂形状与高精度表面的要求的日益提高,超精密加工技术也在不断发展.针对现有切削刀具材料化学稳定性低,高温易损耗,刀具寿命短等问题,本文提出使用高硬度和高化学稳定性兼备的单晶碳化硅(SiC)作为超精密加工用的刀具材料.研究 ...高精度碳化硅单晶刀具的电化学机械复合高效刃磨技术研究 ...

2024年北京＆武汉线束加工设备展会：引领线束技术革新智能 ...

2024年3月5日 2024北京武汉国际线束加工设备展览会是一场专注于线束加工设备领域的盛会，旨在展示最新的线束加工技术和设备，推动产业发展和创新。展览会将在北京和武汉两地举办，分别为2024北京国际新能源汽车线束连接器及加工设备展览会和2024武汉国际汽车线束线缆及连接器展览会。2022年2月10日 “目前，科研团队已掌握激光剥离技术原理与工艺基础，并利用自主搭建的实验测试平台，结合特殊光学设计、光束整形、多因素耦合剥离等核心技术，实现了小尺寸SiC（碳化硅）单晶片的激光剥离。”中国电子科技集团第二研究所（以下简称“中电科二所”）近日传来好消息，在SiC激光剥离设备 ...碳化硅激光剥离设备国产化中电科二所取得突破性进展

18台碳化硅整线湿法设备！这家光伏设备大厂再次中标

2024年7月10日 7月9日，光伏设备大厂捷佳伟创宣布，继4月份半导体碳化硅整线湿法设备订单并完成合同签署后，近日公司子公司创微微电子（常州）有限公司（以下简称：创微微电子）再次斩获另一家半导体头部企业整线湿法设备订单，目前已完成合同签订工作。2023年5月23日碳化硅行业国外厂商已经开展长达5年以上的激光剥离技术探索。截至目前，激光剥离技术未导入量产线，仍有一些技术挑战需要解决。据“行家说三代半”了解，西湖仪器在碳化硅衬底激光剥离技术上实现了突破，并且成功开发了整套碳化硅衬底激光剥离设备，可直接投入生产，为碳化硅衬底的 ...重磅！国产SiC衬底激光剥离实现新突破-第三代半导体风向

碳化硅陶瓷：半导体制程中越来越离不开的精密零部件材料_粉 ...

2024年5月10日由于CVD碳化硅对含氯和含氟刻蚀气体的低反应性、导电性，使其成为等离子体刻蚀设备聚焦环等部件的理想材料。刻蚀设备中CVD碳化硅零部件包含聚焦环、气体喷淋头、托盘、边缘环等。以聚焦环为例，聚焦环是放置在晶圆外部、直接接触晶圆的重要部件2023年7月17日半导体硅片核心设备包括：长晶、切片、研磨、抛光、外延设备等。半导体硅片生产工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛设备、外延炉在整线中价值量占比均较高； 2）由于技术壁垒较高，半导体硅片单台 ...晶盛机电：迈向半导体+碳化硅设备龙头，设备+零部件布局 ...

高测股份-碳化硅切割解决方案 - Gaoce

高测股份碳化硅切割解决方案公司主营业务为高硬脆材料切割设备、切割耗材的研发、生产、销售及其配套服务。 2021年，基于自主核心能力，高测股份首次将金刚线切割技术引入碳化硅材料切割，引领行业变革！2 天之前 6、在半年度报告批准报出日存续的债券情况适用R不适用三、重要事项（一）公司从事的主要业务、主要产品公司是一家专业从事平板显示专用设备及半导体设备自主研发、生产与销售的高新技术企业，致力于“成为全球最好的专用设备提供商”，拥有完整的研发、制造、销售和服务体系。深圳市易天自动化设备股份有限公司 2024年半年度报告摘要 ...

2024年硅片的切片技术趋势分析：硅片薄片化+设备高速化 ...

2024年6月7日硅片的切片环节技术变化较多，呈现大尺寸、薄片化、细线化等发展趋势，对切片厂提出更高要求。为了满足行业降本增效的需求，硅片环节的技术变革集中在切片环节，（ 1 ）大尺寸：摊薄非硅成本；（ 2 ）薄片化：能够减少硅料消耗，同时薄片化所体现出的硅片柔韧性也给电池、组件端带来了更 ...2020年7月10日具体过程操作如下： (1)取碳化硅原料，冲击式破碎机中碎，并筛分至不大于10mm 的碳化硅颗粒，并对其进行整形，检查是否合格，重复粉碎，整形； (2)将上述干燥后的碳化硅颗粒用微粉磨粉机粉碎成d50＝ 16.9-63.5μ m 的碳化硅粉，再对其进行酸洗除杂年产3000吨碳化硅微粉的生产线的可行性研究报告——课程 ...

氮化镓与碳化硅：电力电子封装与功率转换的革新之路 - RF ...

2024年3月22日随着科技的不断进步，电力电子封装技术已成为当今研究领域的热点。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的崛起，为电力电子领域带来了前所未有的机遇与挑战。这两种宽带隙半导体材料在提升功率转换效率、减少能源浪费方面显示出巨大的潜力，引领着电力电子技术的革新。6 天之前在未来的研究中，需要优化大尺寸衬底磨抛加工中的工艺参数和磨抛工具；开发新型超精密磨抛技术；研发自动化、智能化的加工设备；实现碳化硅衬底加工的磨抛一体化. 来源：湖南大学学报（自然科学版）作者：罗求发 1，3†，陈杰铭 1，程志豪 1，陆静碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网

华润微电子欢迎您

2023年9月9日《科创板日报》（上海，记者吴凡）讯， “8吋晶圆厂产能紧张”已然成为当前半导体行业的共识。中信证券近期发文指出，当前行业8吋晶圆产能增量已十分有限，然而随着下游消费电子和汽车电子、工控等行业复苏拉动MOSFET、PMIC等产品需求，8吋成熟工艺需求旺盛，导致8吋晶圆厂产能吃紧，部分 ...2023年8月28日 SiC衬底激光剥离设备SiC衬底激光剥离设备是一款基于SPARC激光技术实现碳化硅衬底高效剥离的设备，能够实现对SiC晶锭的精准定位、均匀加工、连续剥离。该设备适用于不同厚度和尺寸的SiC衬底加工，为...SiC衬底激光剥离设备-西湖仪器（杭州）技术有限公司

碳化硅多线切割技术研究_百度文库

针对碳化硅材料的特点，对其进行切割的多线设备应当具备以下技术特点：（1）高线速。由于碳化硅材料硬度高，为了实现其高效切割，需要进一步提高切割时的线速度，本设备在研制时，即确定了稳定切割线速度为1 200 m/min。2023年12月26日 CINNO Research产业资讯，日本半导体材料加工设备厂商高鸟株式会社（Takatori，以下简称为“高鸟”）近日推出了一款用于切割功率半导体方向碳化硅（SiC）晶圆的新型切割设备。高鸟家为砂浆线切割日本高鸟研发出新型碳化硅功率半导体方向的切割设备，可 ...

碳化硅设备行业深度报告： S i C 东风已来，关注衬底与外延 ...

2023年9月14日 SiC：需求乘“车”而起，材料设备商迎国产化机遇 2 1、关键假设、驱动因素及主要预测关键假设： 1）新能源汽车渗透率持续提升，SiC迎来上车导入期；2）国产材料商、设备商市场份额逐步提升。驱动因素： 1）新能源汽车渗透率持续提升，我们预计未来三年全球装机量CAGR约30%。2023年11月5日碳化硅切割碳化硅主流的切割方式分为砂浆线切割、金刚线切割、激光切割（水导激光、激光剥离、激光冷切割）。对于国内厂商而言，砂浆线切割技术已应用于绝大部分碳化硅衬底厂商，金刚线切割技术也成为了主流迭代方案。尽管金刚线相较于砂浆线切割优势明显，但仍存在一些问题：1、加...碳化硅切割技术比较（资料）碳化硅切割碳化硅主流的切割 ...

西湖仪器旗下SiC衬底激光剥离设备新品SPARC100发布 ...

2023年5月25日他表示，SiC行业如今面临的痛点是衬底制备成本高。碳化硅衬底降本主要存在两大瓶颈，除了长晶外，还有晶锭切割。西湖仪器自主研发的核心产品——SiC衬底激光剥离设备，可降低碳化硅衬底生产过程中的材料损失，提升加工速度，助力碳化硅降本。2024年1月17日王永成：对碳化硅晶片的高效抛光工艺和设备进行了深入的开发，并推出碳化硅晶片全自动抛光线的方案，在崩边控制、划伤控制、精度及效率的提升和成本控制等方面均已取得明显突破，有望促成行业内抛光工艺的革新 ...8吋SiC晶片全自动抛光线将首次亮相Semicon China 2024 ...

碳化硅外延设备已成功实现国产替代，国内市占率第一

2023年2月6日公司实现长晶、线切、倒角、减薄、抛光设备上的自主生产，供应链安全得以保障，且技术上设备可以实现6至8寸切换。目前销售端，公司已与客户A形成采购意向，2022年-2025年将优先向其提供碳化硅衬底合计不低于23万片。2023年7月15日晶圆厚度一般约为750μm，可将晶圆减薄至100um左右（最厚的晶圆用于逻辑门，厚度为100µm ），以确保机械稳定性并防止高温加工过程中的翘曲。随着3D封装应用逐渐增多，要求晶圆厚度减薄至50-100um甚至50um以下，将显著增加对减薄设备的品质需先进封装设备之争日本减薄机独领风骚，国产研磨机步步紧逼

高产碳化硅粉磨加工工艺及主要设备-红星机器

2015年3月7日本文主要就碳化硅粉磨加工工艺进行研究，以实现提高碳化硅综合经济效益的目的。首页关于我们产品中心移动破碎机 ... 我公司能够生产优质的碳化硅加工设备，如碳化硅球磨机、碳化硅分级机、摆式磨粉机等，能够实现对碳化硅的优质加工。2021年7月19日公司碳化硅外延设备已通过客户验证，同时在碳化硅晶体生长、切片、抛光环节已规划建立测试线，以实现装备和工艺技术的领先，加快推进第三代 ...晶盛机电：第三代半导体材料碳化硅的研发取得关键进展 ...

碳化硅衬底及外延材料量测检测设备的挑战及国产替代进度

2024年6月5日从碳化硅产业链整体来看，主要包括晶体生长、切磨抛、出货、外延生长、以及量测检测等环节。在每个步骤中，都有关键的监控点，比如晶体生长时的籽晶粘接，气泡处理等。碳化硅的生长采用升华方法，与硅液拉单晶不同，可能存在位错缺陷，包括微管等晶格缺陷，需要进行检测。

在线留言

首页

Tel

联系我们

QQ